Deposição de A/N por sputtering não reativo

In this work we deposit via non-reactive magnetron sputtering of radio-frequency nanofilmes of nitreto of aluminum(AlN). The nanofilms aluminum nitride are semiconductors materials with high thermal conductivity, high melting point, piezoelectricity and wide band gap (6, 2 eV) with hexagonal wurtzit...

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Detalhes bibliográficos
Autor principal: Damasceno, Eduardo Moreira
Outros Autores: Feitosa, Carlos Chesman de Araújo
Formato: Dissertação
Idioma:por
Publicado em: Universidade Federal do Rio Grande do Norte
Assuntos:
Sputtering
Nanofilmes
Nitreto de alumínio
Nanofilms
Aluminum nitride
CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
Endereço do item:https://repositorio.ufrn.br/jspui/handle/123456789/16566
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id ri-123456789-16566
record_format dspace
spelling ri-123456789-165662017-11-01T12:58:38Z Deposição de A/N por sputtering não reativo Damasceno, Eduardo Moreira Feitosa, Carlos Chesman de Araújo http://lattes.cnpq.br/3532038357888984 http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4780822J1 Corrêa, Marcio Assolin http://lattes.cnpq.br/2531075321550052 Azevedo, Sérgio André Fontes http://lattes.cnpq.br/2195090548621158 Sputtering Nanofilmes Nitreto de alumínio Sputtering Nanofilms Aluminum nitride CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA In this work we deposit via non-reactive magnetron sputtering of radio-frequency nanofilmes of nitreto of aluminum(AlN). The nanofilms aluminum nitride are semiconductors materials with high thermal conductivity, high melting point, piezoelectricity and wide band gap (6, 2 eV) with hexagonal wurtzite crystal structure, belonging to the group of new materials called III-V nitrides in which together with the gallium nitride and indium nitride have attracted much interest because they have physical and chemical properties relevant to new technological applications, mainly in microelectronic and optoelectronic devices. Three groups were deposited with thicknesses nanofilms time dependent on two substrates (glass and silicon) at a temperature of 25 ° C. The nanofilms AlN were characterized using three techniques, X-ray diffraction, Raman spectroscopy and atomic force microscopy (AFM), examined the morphology of these. Through the analysis of X-rays get the thickness of each sample with its corresponding deposition rate. The analysis of X-rays also revealed that nanofilms are not crystalline, showing the amorphous character of the samples. The results obtained by the technique, atomic force microscopy (AFM) agree with those obtained using the technique of X-rays. Characterization by Raman spectroscopy revealed the existence of active modes characteristic of AlN in the samples Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico Neste trabalho depositamos via magnetron sputtering de rádio-frequência não reativo nanofilmes de nitreto de alumínio (AlN). Os nanofilmes de nitreto de alumínio são materiais semicondutores com alta condutividade térmica, elevado ponto de fusão, piezoeletricidade e largo "bandgap"(6;2 eV) com estrutura cristalina wurtzítica hexagonal, pertencentes ao grupo de novos materiais denominados nitretos III-V que em conjunto com o nitreto de gálio e o nitreto de índio têm despertado muito interesse por possuírem propriedades físico-químicas relevantes para novas aplicações tecnológicas, principalmente em microeletrônica e dispositivos optoeletrônicos. Foram depositados três grupos de nanofilmes com as espessuras dependêntes do tempo, sobre dois tipos de substratos (vidro e silício) a uma temperatura de 25°C. Os nanofilmes de AlN foram caracterizados usando três técnicas, a difração de raios-X, espectroscopia Raman e microscopia de força atômica (AFM), analisado-se a morfologia desses. Através da análise dos raios-X obtemos a espessura de cada amostra com sua respectiva taxa de deposição. A análise dos raios-X também revelou que os nanofilmes não são cristalinos, evidenciando o caráter amorfo das amostras. Os resultados obtidos através da técnica, microscopia de força atômica (AFM) concordam com os obtidos usando a técnica de raios-X. A caracterização por espectroscopia Raman evidenciou a existência de modos ativos característicos do AlN nas amostras analisadas 2014-12-17T15:14:52Z 2011-12-07 2014-12-17T15:14:52Z 2011-01-27 masterThesis DAMASCENO, Eduardo Moreira. Deposição de A/N por sputtering não reativo. 2011. 92 f. Dissertação (Mestrado em Física da Matéria Condensada; Astrofísica e Cosmologia; Física da Ionosfera) - Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Natal, 2011. https://repositorio.ufrn.br/jspui/handle/123456789/16566 por Acesso Aberto application/pdf application/pdf Universidade Federal do Rio Grande do Norte BR UFRN Programa de Pós-Graduação em Física Física da Matéria Condensada; Astrofísica e Cosmologia; Física da Ionosfera
institution Repositório Institucional
collection RI - UFRN
language por
topic Sputtering
Nanofilmes
Nitreto de alumínio
Sputtering
Nanofilms
Aluminum nitride
CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
spellingShingle Sputtering
Nanofilmes
Nitreto de alumínio
Sputtering
Nanofilms
Aluminum nitride
CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
Damasceno, Eduardo Moreira
Deposição de A/N por sputtering não reativo
description In this work we deposit via non-reactive magnetron sputtering of radio-frequency nanofilmes of nitreto of aluminum(AlN). The nanofilms aluminum nitride are semiconductors materials with high thermal conductivity, high melting point, piezoelectricity and wide band gap (6, 2 eV) with hexagonal wurtzite crystal structure, belonging to the group of new materials called III-V nitrides in which together with the gallium nitride and indium nitride have attracted much interest because they have physical and chemical properties relevant to new technological applications, mainly in microelectronic and optoelectronic devices. Three groups were deposited with thicknesses nanofilms time dependent on two substrates (glass and silicon) at a temperature of 25 ° C. The nanofilms AlN were characterized using three techniques, X-ray diffraction, Raman spectroscopy and atomic force microscopy (AFM), examined the morphology of these. Through the analysis of X-rays get the thickness of each sample with its corresponding deposition rate. The analysis of X-rays also revealed that nanofilms are not crystalline, showing the amorphous character of the samples. The results obtained by the technique, atomic force microscopy (AFM) agree with those obtained using the technique of X-rays. Characterization by Raman spectroscopy revealed the existence of active modes characteristic of AlN in the samples
author2 Feitosa, Carlos Chesman de Araújo
author_facet Feitosa, Carlos Chesman de Araújo
Damasceno, Eduardo Moreira
format masterThesis
author Damasceno, Eduardo Moreira
author_sort Damasceno, Eduardo Moreira
title Deposição de A/N por sputtering não reativo
title_short Deposição de A/N por sputtering não reativo
title_full Deposição de A/N por sputtering não reativo
title_fullStr Deposição de A/N por sputtering não reativo
title_full_unstemmed Deposição de A/N por sputtering não reativo
title_sort deposição de a/n por sputtering não reativo
publisher Universidade Federal do Rio Grande do Norte
publishDate 2014
url https://repositorio.ufrn.br/jspui/handle/123456789/16566
work_keys_str_mv AT damascenoeduardomoreira deposicaodeanporsputteringnaoreativo
_version_ 1773958544605839360

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