Polaritons de exciton em super-redes semicondutoras /

Resumo: Neste trabalho estudamos o espectro (modos de volume e de superfície) dos polaritons de exciton em uma super-rede binária infinita e semi-infinita (tal como, ···ABABA···), onde um meio semicondutor (A), cuja função dielétrica depende da frequência e do vetor de onda, alterna-se com um dielét...

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Detalhes bibliográficos
Principais autores: Medeiros, Fábio Ferreira de., Albuquerque, Eudenilson Lins de., Universidade Federal do Rio Grande do Norte.
Formato: Dissertação
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Endereço do item:https://repositorio.ufrn.br/jspui/bitstream/123456789/16644/1/FabioFM.pdf
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spelling oai:localhost:123456789-441272022-11-29T22:56:15Z Polaritons de exciton em super-redes semicondutoras / Medeiros, Fábio Ferreira de. Albuquerque, Eudenilson Lins de. Universidade Federal do Rio Grande do Norte. Polarização - Dissertação. Excitação - Dissertação. Super-redes - Dissertação. Semicondutores - Dissertação. Resumo: Neste trabalho estudamos o espectro (modos de volume e de superfície) dos polaritons de exciton em uma super-rede binária infinita e semi-infinita (tal como, ···ABABA···), onde um meio semicondutor (A), cuja função dielétrica depende da frequência e do vetor de onda, alterna-se com um dielétrico comum (B). Aqui, o meio A será modelado por um semicondutor da família dos nitretos (semicondutor III-V) que tem como característica principal um gap de energia (Eg) direto e largo. Em particular, consideramos os valores numéricos para o nitreto de gálio (GaN) com uma estrutura cristalina tipo wurtzite. A técnica da matriz de transferência é utilizada para encontrarmos a relação de dispersão do polariton de exciton. Os resultados são obtidos para os modos de polarização s (ou modo TE: transversal elétrico) e p (ou modo TM: transversal magnético), usando três diferentes condições de contorno adicionais (ABC1, 2 e 3), mais as condições de contorno padrões de Maxwell. Além disso, investigamos o comportamento dos modos do polariton de exciton para diferentes razões entre as espessuras das camadas dos dois materiais que compõem a super-rede Os espectros encontrados evidenciam um comportamento de confinamento dos polaritons de exciton devido às geometrias empregadas. As técnicas experimentais ATR ("Attenuated Total Reflection") e o espalhamento Raman são as mais adequadas para a caracterização dessas excitações. 1 2022-10-05T12:44:37Z 2022-10-05T12:44:37Z 2004. Dissertação 535.51 M488p DISSERT 62963 https://repositorio.ufrn.br/jspui/bitstream/123456789/16644/1/FabioFM.pdf https://repositorio.ufrn.br/jspui/bitstream/123456789/16644/1/FabioFM.pdf
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description Resumo: Neste trabalho estudamos o espectro (modos de volume e de superfície) dos polaritons de exciton em uma super-rede binária infinita e semi-infinita (tal como, ···ABABA···), onde um meio semicondutor (A), cuja função dielétrica depende da frequência e do vetor de onda, alterna-se com um dielétrico comum (B). Aqui, o meio A será modelado por um semicondutor da família dos nitretos (semicondutor III-V) que tem como característica principal um gap de energia (Eg) direto e largo. Em particular, consideramos os valores numéricos para o nitreto de gálio (GaN) com uma estrutura cristalina tipo wurtzite. A técnica da matriz de transferência é utilizada para encontrarmos a relação de dispersão do polariton de exciton. Os resultados são obtidos para os modos de polarização s (ou modo TE: transversal elétrico) e p (ou modo TM: transversal magnético), usando três diferentes condições de contorno adicionais (ABC1, 2 e 3), mais as condições de contorno padrões de Maxwell. Além disso, investigamos o comportamento dos modos do polariton de exciton para diferentes razões entre as espessuras das camadas dos dois materiais que compõem a super-rede Os espectros encontrados evidenciam um comportamento de confinamento dos polaritons de exciton devido às geometrias empregadas. As técnicas experimentais ATR ("Attenuated Total Reflection") e o espalhamento Raman são as mais adequadas para a caracterização dessas excitações.
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