Polaritons de exciton em super-redes semicondutoras /
Resumo: Neste trabalho estudamos o espectro (modos de volume e de superfície) dos polaritons de exciton em uma super-rede binária infinita e semi-infinita (tal como, ···ABABA···), onde um meio semicondutor (A), cuja função dielétrica depende da frequência e do vetor de onda, alterna-se com um dielét...
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| Formato: | Dissertação |
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| Endereço do item: | https://repositorio.ufrn.br/jspui/bitstream/123456789/16644/1/FabioFM.pdf |
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| Resumo: | Resumo: Neste trabalho estudamos o espectro (modos de volume e de superfície) dos polaritons de exciton em uma super-rede binária infinita e semi-infinita (tal como, ···ABABA···), onde um meio semicondutor (A), cuja função dielétrica depende da frequência e do vetor de onda, alterna-se com um dielétrico comum (B). Aqui, o meio A será modelado por um semicondutor da família dos nitretos (semicondutor III-V) que tem como característica principal um gap de energia (Eg) direto e largo. Em particular, consideramos os valores numéricos para o nitreto de gálio (GaN) com uma estrutura cristalina tipo wurtzite. A técnica da matriz de transferência é utilizada para encontrarmos a relação de dispersão do polariton de exciton. Os resultados são obtidos para os modos de polarização s (ou modo TE: transversal elétrico) e p (ou modo TM: transversal magnético), usando três diferentes condições de contorno adicionais (ABC1, 2 e 3), mais as condições de contorno padrões de Maxwell. Além disso, investigamos o comportamento dos modos do polariton de exciton para diferentes razões entre as espessuras das camadas dos dois materiais que compõem a super-rede Os espectros encontrados evidenciam um comportamento de confinamento dos polaritons de exciton devido às geometrias empregadas. As técnicas experimentais ATR ("Attenuated Total Reflection") e o espalhamento Raman são as mais adequadas para a caracterização dessas excitações. |
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