Um estudo de linhas de microfita e linhas de fenda com substrato semicondutor /

O principal objetivo desta tese consiste no estudo e análise de estruturas de linhas de microfita e linhas de fenda contendo substratos semicondutores tipo Arsenato de Gálio, usando o método de onda completa LTT Linha de Transmissão Transversa. No caso para a linha de fenda também é considerada a...

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Detalhes bibliográficos
Principais autores: Brito, Augusto César Rebouças de., Fernandes, Humberto César Chaves.
Formato: Dissertação
Publicado em:
Assuntos:
Linhas de transmissão de microondas
Engenharia de micro-ondas -
Linhas de transmissão planares -
Linha de transmissão transversa -
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id oai:localhost:123456789-20752
record_format dspace
spelling oai:localhost:123456789-207522022-11-29T17:07:28Z Um estudo de linhas de microfita e linhas de fenda com substrato semicondutor / Brito, Augusto César Rebouças de. Fernandes, Humberto César Chaves. Linhas de transmissão de microondas Engenharia de micro-ondas - Linhas de transmissão planares - Linha de transmissão transversa - O principal objetivo desta tese consiste no estudo e análise de estruturas de linhas de microfita e linhas de fenda contendo substratos semicondutores tipo Arsenato de Gálio, usando o método de onda completa LTT Linha de Transmissão Transversa. No caso para a linha de fenda também é considerada a espessura da lâmina metálica. Estas estruturas são geralmente utilizadas em diversos dispositivos nas freqüências de microondas de até 15 GHz, entre eles antenas, dispositivos ativos e linhas de transmissão. O método LTT usado neste trabalho consiste basicamente em se obter os campos elétricos e magnéticos, em termos de campos transversais às interfaces dielétricas da estrutura, no Domínio da Transformada de Fourier FTD. O método dos momentos também se faz presente na análise destas estruturas. Os programas computacionais desenvolvidos para o projeto destas linhas planares foram elaborados para o uso em microcomputadores e fornecem uma rápida convergência no cálculo da constante dielétrica efetiva e da impedância característica, juntamente com as constantes de atenuação e de fase. Curvas destes parâmetros são mostradas em função da freqüência e de outras especificações das estruturas. Comparações dos resultados obtidos usando esta teoria correspondente à condutividade do semicondutor e a espessura da lâmina condutora tendendo a zero (caso da linha de fenda), com resultados já publicados e obtidos por meio de outras teorias, comprovam a validade do método aqui empregado. 1 2022-10-05T10:07:52Z 2022-10-05T10:07:52Z 1994. Dissertação 621.372 B862e DISSERT 32689 https://app.bczm.ufrn.br/home/#/item/32689 https://app.bczm.ufrn.br/home/#/item/32689
institution Acervo SISBI
collection SIGAA
topic Linhas de transmissão de microondas
Engenharia de micro-ondas -
Linhas de transmissão planares -
Linha de transmissão transversa -
spellingShingle Linhas de transmissão de microondas
Engenharia de micro-ondas -
Linhas de transmissão planares -
Linha de transmissão transversa -
Brito, Augusto César Rebouças de.
Fernandes, Humberto César Chaves.
Um estudo de linhas de microfita e linhas de fenda com substrato semicondutor /
description O principal objetivo desta tese consiste no estudo e análise de estruturas de linhas de microfita e linhas de fenda contendo substratos semicondutores tipo Arsenato de Gálio, usando o método de onda completa LTT Linha de Transmissão Transversa. No caso para a linha de fenda também é considerada a espessura da lâmina metálica. Estas estruturas são geralmente utilizadas em diversos dispositivos nas freqüências de microondas de até 15 GHz, entre eles antenas, dispositivos ativos e linhas de transmissão. O método LTT usado neste trabalho consiste basicamente em se obter os campos elétricos e magnéticos, em termos de campos transversais às interfaces dielétricas da estrutura, no Domínio da Transformada de Fourier FTD. O método dos momentos também se faz presente na análise destas estruturas. Os programas computacionais desenvolvidos para o projeto destas linhas planares foram elaborados para o uso em microcomputadores e fornecem uma rápida convergência no cálculo da constante dielétrica efetiva e da impedância característica, juntamente com as constantes de atenuação e de fase. Curvas destes parâmetros são mostradas em função da freqüência e de outras especificações das estruturas. Comparações dos resultados obtidos usando esta teoria correspondente à condutividade do semicondutor e a espessura da lâmina condutora tendendo a zero (caso da linha de fenda), com resultados já publicados e obtidos por meio de outras teorias, comprovam a validade do método aqui empregado.
format Dissertação
author Brito, Augusto César Rebouças de.
Fernandes, Humberto César Chaves.
author_facet Brito, Augusto César Rebouças de.
Fernandes, Humberto César Chaves.
author_sort Brito, Augusto César Rebouças de.
title Um estudo de linhas de microfita e linhas de fenda com substrato semicondutor /
title_short Um estudo de linhas de microfita e linhas de fenda com substrato semicondutor /
title_full Um estudo de linhas de microfita e linhas de fenda com substrato semicondutor /
title_fullStr Um estudo de linhas de microfita e linhas de fenda com substrato semicondutor /
title_full_unstemmed Um estudo de linhas de microfita e linhas de fenda com substrato semicondutor /
title_sort um estudo de linhas de microfita e linhas de fenda com substrato semicondutor /
publishDate 2022
url https://app.bczm.ufrn.br/home/#/item/32689
work_keys_str_mv AT britoaugustocesarreboucasde umestudodelinhasdemicrofitaelinhasdefendacomsubstratosemicondutor
AT fernandeshumbertocesarchaves umestudodelinhasdemicrofitaelinhasdefendacomsubstratosemicondutor
_version_ 1766828644630528000

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