Um estudo de linhas de microfita e linhas de fenda com substrato semicondutor /
O principal objetivo desta tese consiste no estudo e análise de estruturas de linhas de microfita e linhas de fenda contendo substratos semicondutores tipo Arsenato de Gálio, usando o método de onda completa LTT Linha de Transmissão Transversa. No caso para a linha de fenda também é considerada a...
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| Formato: | Dissertação |
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| Resumo: | O principal objetivo desta tese consiste no estudo e análise de estruturas de linhas de microfita e linhas de fenda contendo substratos semicondutores tipo Arsenato de Gálio, usando o método de onda completa LTT Linha de Transmissão Transversa. No caso para a linha de fenda também é considerada a espessura da lâmina metálica. Estas estruturas são geralmente utilizadas em diversos dispositivos nas freqüências de microondas de até 15 GHz, entre eles antenas, dispositivos ativos e linhas de transmissão. O método LTT usado neste trabalho consiste basicamente em se obter os campos elétricos e magnéticos, em termos de campos transversais às interfaces dielétricas da estrutura, no Domínio da Transformada de Fourier FTD. O método dos momentos também se faz presente na análise destas estruturas. Os programas computacionais desenvolvidos para o projeto destas linhas planares foram elaborados para o uso em microcomputadores e fornecem uma rápida convergência no cálculo da constante dielétrica efetiva e da impedância característica, juntamente com as constantes de atenuação e de fase. Curvas destes parâmetros são mostradas em função da freqüência e de outras especificações das estruturas. Comparações dos resultados obtidos usando esta teoria correspondente à condutividade do semicondutor e a espessura da lâmina condutora tendendo a zero (caso da linha de fenda), com resultados já publicados e obtidos por meio de outras teorias, comprovam a validade do método aqui empregado. |
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