Espalhamento Raman por magnons em semicondutores ferromagnéticos /
Resumo: A eficiência Raman de espalhamento de ondas e letromagnéticas com a criação de um mãgnon, em processos intrabanda de condução e por mecanismo indireto, em semi condutores ferromagnéticos, na pre.sença de um campo magnético DC forte, é estudada. Mostra-se que o processo no qual a interação el...
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oai:localhost:123456789-1256212022-11-30T23:37:38Z Espalhamento Raman por magnons em semicondutores ferromagnéticos / Almeida, Nilson Sena de. Miranda, Luiz Carlos Moura. Universidade Estadual de Campinas. Análise espectral - Tese. Raman, Espectroscopia de - Tese. Raman, Efeito - Tese. Resumo: A eficiência Raman de espalhamento de ondas e letromagnéticas com a criação de um mãgnon, em processos intrabanda de condução e por mecanismo indireto, em semi condutores ferromagnéticos, na pre.sença de um campo magnético DC forte, é estudada. Mostra-se que o processo no qual a interação eletron-radiação e devida ao termo em A² é dominante sobre o em A.p . Estimativas são feitas para campos magnéticos da ordem de 100 KG e parâmetros físicos característicos dos semicondutores em estudo. Finalmente, é feita uma analise do comportamento de com a geometria de espalhamento. 1 2022-10-06T06:35:30Z 2022-10-06T06:35:30Z [1977]. Tese 543.42 A447e TESE 191006 https://app.bczm.ufrn.br/home/#/item/191006 https://app.bczm.ufrn.br/home/#/item/191006 |
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Resumo: A eficiência Raman de espalhamento de ondas e letromagnéticas com a criação de um mãgnon, em processos intrabanda de condução e por mecanismo indireto, em semi condutores ferromagnéticos, na pre.sença de um campo magnético DC forte, é estudada. Mostra-se que o processo no qual a interação eletron-radiação e devida ao termo em A² é dominante sobre o em A.p . Estimativas são feitas para campos magnéticos da ordem de 100 KG e parâmetros físicos característicos dos semicondutores em estudo. Finalmente, é feita uma analise do comportamento de com a geometria de espalhamento. |
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