Espalhamento Raman por magnons em semicondutores ferromagnéticos /
Resumo: A eficiência Raman de espalhamento de ondas e letromagnéticas com a criação de um mãgnon, em processos intrabanda de condução e por mecanismo indireto, em semi condutores ferromagnéticos, na pre.sença de um campo magnético DC forte, é estudada. Mostra-se que o processo no qual a interação el...
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| Resumo: | Resumo: A eficiência Raman de espalhamento de ondas e letromagnéticas com a criação de um mãgnon, em processos intrabanda de condução e por mecanismo indireto, em semi condutores ferromagnéticos, na pre.sença de um campo magnético DC forte, é estudada. Mostra-se que o processo no qual a interação eletron-radiação e devida ao termo em A² é dominante sobre o em A.p . Estimativas são feitas para campos magnéticos da ordem de 100 KG e parâmetros físicos característicos dos semicondutores em estudo. Finalmente, é feita uma analise do comportamento de com a geometria de espalhamento. |
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